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Qualcomm Snapdragon 835 在時脈、製程以外談 的過人之處

具備 1GB/s 上網理論值規格的 X16 LTE modem

Qualcomm S835 採用 X16 LTE 上網晶片,最高能達到 1Gbps 的理論上網值,當中包括 LTE Cat.16 的下載速度與 LTE Cat.13 的上載速度,已經是 Cat.4 的 5 倍,它亦能支援下載 4 x 20 MHz CA (Carrier Aggregation 濾波聚合)、上載 2 x 20MHz CA;這是 Qualcomm 第一顆整合 802.11ac 路由晶片的處理器,更是支援短途的 60GHz WiFi 網絡(也就是 802.11 ad),完全是向著 5G 速度進發的產品。

具備著 4×4 MIMO 帶來的極速未必是每一個用家必須,但理論上在分配網絡資源上更有彈性,相對於舊有的 2X2 速度自然更快;在網絡資源減少的時侯亦可以保持一定速度,之前已經有人利用 Samsung Galaxy S7 進行實驗測試 4×4 MIMO 的實力,在此亦不多談。

預定在 2017 年,美國的 AT&T 、T-Mobile 、德國的 EE 、歐洲的 Vodafone 與 Telefonica ,日本 NTT DoCoMo 、SoftBank 、KDDI 與新加坡的 SingTel 都有意試行 5G Gigabit LTE ,可惜香港、台灣都完全沒有消息啊!

至於 Gigabit LTE 級的高速網絡,其中一個有意思的應用是 Android Instant App ,靠著把 App 分拆成細小封包推送,不用下載 Apps 亦可以體現到 Instant Apps 的功能,但其中一個問題就是流量可高達 20MB …

圖片來源:Qualcomm

迎合潮流的 AR 與 Mobile VR 

如果你仍然未搞清楚什麼是 AR、VR、 MR 和 360 相機,請參考這篇【果言科技】

隨著過去一年 Pokemon Go 、HTC Vive、Facebook VR、Playstation VR 不斷帶起潮流,VR、AR 這兩個話題亦是手機/流動產品的一個重點。Qualcomm S821 處理器的 Lenovo PHAB2 Pro 與 ASUS ZenFone AR 能支援到 Google Tango(Google 自家的 AR 系統)、與 Google DayDream VR,自然 Qualcomm S835 得到同樣支援,甚至可以說是為 VR 而考慮到各方面表現。

例如上文有提到比上一代快 25% 的 3D 圖像處理、10bit 色域、DSD 對立體音效方位的處理與低失真,此外相對採用 Qualcomm S820 的 Snapdragon VR820 ,它的於 6DOF ( six-degree-of-freedom) 與動態畫面延遲 (motion-to-photon latency )降低了 20% ,以提供一個更舒適的 VR 效果。

加速 20% 的QuickCharge 4.0 的各種功能

QuickCharge 4.0 自然比起 QuickCharge 3.0 快,官方指出效能高大約 20% ,在 5 分鐘充電就可供手機使用 5 小時,而充到 50% 電量只需要 15 分鐘,效率亦比上一代快 30% ,除此以外有很多沒被媒體提及的重點,這都是針對充電安全性與電流,例如有:

  • USB Type C 與 USB-Power Delivery (USB PD) 規格:由 Qualcomm 設立一個 Quick Charge 4 插頭的規格, 去確保每一件產品對於 QuickCharge 4.0 的普及性,這是針對以往市面上良莠不齊的 USB 產品,定下標準以確保每一件認證過的 QC4.0 產品都可以安全搭配使用。(老實說是因為 OnePlus USB 線吧…)
  • Battery Saver 2.0:在以往的電池保護機製中再加入對電量、電流、溫度等的監控去保護電池、系統甚至充電線與充電器,它在充電時分幾層監控各個細節以達到效果。
  • INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) V3:第三代的 INOV 會計算手機需要幾大的電流,根據電池的狀態進行調節。在新的機制下手機可能要求 20mV 的高速充電或者是把速度放援,全取決於手機的、電池、晶片甚至插口的溫度,這個完整的監測為了防止起火事故。
  • Dual Charge:當裝置有第二顆電源控制 IC 的時侯,可以利用 Dual Charge 去分開充電的電流,利用更有利於散熱的方式去減低充電時間,當然這亦考慮到溫度與發熱的考量。
圖片來源:Qualcomm

說到底 製程 和 時脈 代表什麼?

每一次跟別人談到 SoC ,第一時間總是談製程為先。從過去幾年的 28LP 發展到去年的 14nm ,今代的 Qualcomm S835 是由 Samsung FinFET 的 10nm 製程工藝,當中改變了什麼?我們知道當製程數字變小的時侯,代表 SoC 裡面的每一條電路變得更幼,需要更精密的方式去製作,但同時節省了位置,或在同樣大小的位置放入更多元件,更可以製作出更薄更輕巧的智能手機;另一方面製程變得精密會減省處理器的耗電量,這是相當關鍵的。

但物理上是有極限的,在電晶體上面有無數的「0」、「1」組位(每一個組合為一位元),透過電流去決定位元狀態,但只要低於 20nm 就有機會出現漏電的情況,使功率有所損耗,為了解決這個問題開發者導入  FinFET 鰭式電晶體的概念,而在 Qualcomm S835 上面用的是第二代 FinFET 使之在 10nm 的製程下降低損耗。

給大家一個概念: 10nm 製程大約是病毒的 1/10 大小,亦是現時製程的一個最高端;有人提出 7nm 是摩爾定律的極限,而全球的研究人員都想盡方法去突破。

圖片來源:維基百科
圖片來源:Qualcomm

時脈是處理器的一個重要規格,以每秒運行幾多「百萬次」(MHz) 或 「十億次」(GHz) 為單位,這個數字代表運算速度,但並不完全反映效能。因為在不同架構、處理方式、運作方法的情況下能運算出的數據量亦有不同,但當中涉及外頻、倍頻等各種參數,篇幅有限也不作詳細討論。

我們只是想指出:以時脈頻率去談處理器是很粗略的方式。

TechApple.com 編輯部

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